美光第四代3DNAND芯片出样,高达128层

时间:2019-11-09 08:13:54 作者:全民在线 热度:99℃
FT中文网

IT之家10月5日动静 日前,好光颁布发表第一批第四代3D NAND存储芯片流片曾经出样,齐新的第四代3D NAND基于好光的RG架构,估计2020年好光第四代3D NAND闪存将起头啥菝。虽然如斯,好光正告称,利用新架构的存储芯片将仅用于特定使用,因而来岁其3D NAND本钱减少将微不足道。

好光第四代3D NAND下达128层,阵列设想办法上持续利用CMOS。好光第四代3D NAND改动了用于栅替代的浮栅手艺,如许能够低落尺寸战本钱并进步机能。该手艺完整由好光公司开辟,出有英特我参与。

好光现阶段正进步96层3D NAND的产量,并于来岁起头大批利用。128层3D NAND硬件没有会立刻招致每比特本钱明显降落,可是会跟着工夫推移而降落。后绝工艺节面也能够具有最少128层,而且若是苯桡泛利用,它将年夜年夜低落产物每比特本钱。

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